絕緣電阻表的精度等級的表示

絕緣電阻表主要用于測量電氣設備的絕緣電阻，絕緣電阻的測量對于保證電氣設備產(chǎn)品質(zhì)量，保護工作人員和運行設備的安全具有重要的意義。絕緣電阻表屬于直接作用模擬指示電測量?jì)x表，由于它的讀數以兆歐為單位，所以俗稱(chēng)“兆歐表”。 絕緣電阻表的工作原理 電氣工程中常需要用絕緣電阻表測試絕緣材料的絕緣電阻，它們的阻值在幾百到幾千兆歐，并且隨著(zhù)測試值的增大，絕緣電阻表的相應量程電壓增大。 絕緣電阻表由手搖發(fā)電機和磁電系比率計構成，其工作原理與萬(wàn)用表相似，只是在測量電阻的電路中設有電源，如圖1所示。 由于絕緣電阻的阻值大，必須有較高的電壓才能得到足夠的靈敏度，因此絕緣電阻表中配有一臺手搖發(fā)電機，它是隨著(zhù)絕緣電阻表的量程而配比的發(fā)電機，量程越高，配用發(fā)電機的發(fā)生電壓越高，配用的發(fā)電機從500～2500V，額定轉速為120r／min。 絕緣電阻表的測量機構如圖1a所示，它與磁電系儀表相似，但它有兩個(gè)線(xiàn)圈，兩個(gè)線(xiàn)圈呈一定角度固定到軸上，固定部分為 磁鐵。絕緣電阻表中設有游絲，電流由無(wú)反作用力矩的導流絲引入，線(xiàn)圈中的環(huán)形鐵心有缺口，并且鐵心和 磁鐵磁極之間的氣隙不均勻。因此氣隙中的磁場(chǎng)不均勻，線(xiàn)圈轉動(dòng)在不同位置所產(chǎn)生的力矩不同，從而使指針的偏轉角與兩線(xiàn)圈中的電流比率成正比，因此把這種測量機構稱(chēng)為比率計。 絕緣電阻表準確度等級的表示 絕緣電阻表是國家強制檢定的計量器具，在使用前必須按照檢定規程規定的檢定周期進(jìn)行檢定，合格后方可使用。 絕緣電阻表是否符合其準確度等級，主要是通過(guò)基本誤差的檢定來(lái)判斷的。在JJG622-1997《絕緣電阻表（兆歐表）》檢定規程中，對于絕緣電阻表準確度等級分5級：1.0、2.0、5.0、10.0、20.0，其基本誤差是用相對誤差表示的。在標度尺測量范圍（有效范圍）內，每條選定分度線(xiàn)的基本誤差應不超過(guò)所對應絕緣電阻表的準確度等級。以前生產(chǎn)的絕緣電阻表的基本誤差是按標尺弧度定義的，即以?xún)x表的弧長(cháng)誤差與標尺總弧長(cháng)之比的百分數表示。 由于基本誤差表示方法的不同，按舊標準和新標準生產(chǎn)的絕緣電阻表準確度等級產(chǎn)生了很大的區別。例如：對于原來(lái)的1.0.1.5級表，其基本誤差是按標尺弧長(cháng)表示的，目前這種用弧長(cháng)表示的準確度等級仍在使用。那么新的檢定人員在檢定絕緣電阻表時(shí)，不注意表盤(pán)上的準確度等級的標志，誤將原來(lái)弧長(cháng)表示的1.9級表，當成現在用相對誤差表示的（?？杉壉?，在檢定結果判定時(shí)，就會(huì )出現嚴重錯誤，其實(shí)它相當于用相對誤差表示的準確度等級為10.0級表。按照JJG622-1997《絕緣電阻表（兆歐表）》檢定規程中表1的規定，下面將絕緣電阻表準確度等級及允許示值誤差與允許弧長(cháng)誤差作了一個(gè)表，便于對照。

晶閘管為什么兩端要對接電阻電容

一、晶閘管（可控硅）兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實(shí)際晶閘管（可控硅）電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò )，該網(wǎng)絡(luò )常稱(chēng)為RC阻容吸收電路。 我們知道，晶閘管（可控硅）有一個(gè)重要特性參數－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管（可控硅）在額定結溫和門(mén)極斷路條件下，使晶閘管（可控硅）從斷態(tài)轉入通態(tài)的 電壓上升率。若電壓上升率過(guò)大，超過(guò)了晶閘管（可控硅）的電壓上升率的值，則會(huì )在無(wú)門(mén)極信號的情況下開(kāi)通。即使此時(shí)加于晶閘管（可控硅）的正向電壓低于其陽(yáng)極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因為晶閘管（可控硅）可以看作是由三個(gè)PN結組成。 在晶閘管（可控硅）處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結結面相當于一個(gè)電容C0。當晶閘管（可控硅）陽(yáng)極電壓變化時(shí)，便會(huì )有充電電流流過(guò)電容C0，并通過(guò)J3結，這個(gè)電流起了門(mén)極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管（可控硅）在關(guān)斷時(shí)，陽(yáng)極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門(mén)極在沒(méi)有觸發(fā)信號的情況下，晶閘管（可控硅）誤導通現象，即常說(shuō)的硬開(kāi)通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管（可控硅）上的陽(yáng)極電壓上升率應有一定的限制。 為了限制電路電壓上升率過(guò)大，確保晶閘管（可控硅）安全運行，常在晶閘管（可控硅）兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò )，利用電容兩端電壓不能突變的特性來(lái)限制電壓上升率。因為電路總是存在電感的（變壓器漏感或負載電感），所以與電容C串聯(lián)電阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C電路在過(guò)渡過(guò)程中，因振蕩在電容器兩端出現的過(guò)電壓損壞晶閘管（可控硅）。同時(shí)，避免電容器通過(guò)晶閘管（可控硅）放電電流過(guò)大，造成過(guò)電流而損壞晶閘管（可控硅）。 由于晶閘管（可控硅）過(guò)流過(guò)壓能力很差，如果不采取可靠的保護措施是不能正常工作的。RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò )就是常用的保護方法之一。